FR-4与F4B在高频损耗方面的差异如下：

1. 介质损耗因子（Df）对比

• FR-4：在10GHz时，标准FR-4的介质损耗因子（Df）约为0.018~0.035，高频专用低损耗FR-4可降至0.008~0.010。

• F4B：在10GHz时，F4B的Df低至0.0013~0.0017（如F4BM265为0.0013，F4B300为0.0017），20GHz时为0.0019~0.0025。
  结论：F4B的介质损耗比FR-4低一个数量级，高频下能量衰减显著更小。

2. 高频信号衰减对比

• FR-4：在10GHz时，信号衰减可达3.2dB/m（如普通FR-4），高频专用低损耗FR-4可优化至0.8dB/m（如RO4835HT）。

• F4B：在10GHz时，介质衰减系数仅为0.0023dB/cm（即0.23dB/m），远低于FR-4。
  结论：F4B的信号衰减比FR-4低90%以上，适合长距离高频传输。

3. 频率依赖性对比

• FR-4：Df随频率升高显著增大（如1GHz时为0.015~0.035，10GHz时升至0.018~0.035），导致总损耗呈超线性增长（近似指数增长）。

• F4B：Df随频率变化极小（如10GHz时为0.0013，20GHz时为0.0019），损耗增长平缓。
  结论：F4B在高频下损耗稳定性远优于FR-4，适合超高频（如毫米波）应用。

4. 导体损耗协同效应

• FR-4：高频下趋肤效应显著，导体损耗随频率平方根增加，叠加高介质损耗后总损耗剧增（如77GHz车载雷达频段，FR-4每米损耗超10dB）。

• F4B：导体损耗系数（0.0357dB/cm@10GHz）低于FR-4（0.0499dB/cm@10GHz），且低介质损耗进一步降低总损耗。
  结论：F4B在导体和介质损耗协同优化下，高频总损耗更低。

5. 应用场景差异

• FR-4：适用于1GHz以下低频场景（如消费电子、电源板），高频专用低损耗FR-4可支持1~8GHz（如10Gbps数字信号），但8GHz以上性能急剧下降。

• F4B：专为高频设计，支持1GHz~40GHz及以上频段（如5G通信、毫米波雷达、卫星通信），在24GHz、28GHz、39GHz等频段表现优异。
  结论：F4B是高频场景的首选材料，FR-4仅适用于低频或对成本敏感的中频场景。